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透明导电膜——ITO

一、ITO是什么?


ITO=Indium Tin Oxide(In2O3+SnO2)

ITO的成分=90wt% In2O3与10wt% SnO2 混合物


二、金属特性


金属导电的原因:金属键之键结力不强, 电子受到外加电位即可自由运动,形成电子流。


金属不透明的原因:光波被高密度之电子 吸收与反射。



三、氧化物特性


氧化物绝缘的原因:氧化物为金属与氧气 反应形成共价键,键结中无自由电子,因 此不导电。


氧化物透明的原因:原子键结的空隙中无 自由电子,故光波可穿透氧化物结构。



四、透明导电氧化物


氧化物结构中含有氧原子之缺陷,使自由 電子可在這些缺陷中運動,因此可以導 电,但由于自由电子之密度不高,因此导 电度不如金属。


由于自由电子之密度不高,因此可以透 光,但透光率不如致密氧化物。



五、透光率与导电率之关系



ITO薄膜在可见光之范围内,镀膜之透光率 与导电镀约略成反比之关系;例如,当镀 膜面电阻率在10Ω/sq以下时,可见光透光 率可达80﹪,但当透光率欲达90﹪以上,  面电阻率必须提高至100Ω/sq以上。


六、ITO镀膜制程


1. 凝胶法(Sol-Gel):


首先将ITO成分之粉末以液态之分散剂均匀悬浮于 液体中,再以旋镀(Spinning Coating)或浸镀


(Dipping)之方式于被镀物表面形成一层液态薄膜,  其厚度约在1μm左右,最后再以高温将液体蒸发, 并将ITO粉末烧结成为致密薄膜状。


2. 磁控溅射法:


利用磁控溅射方式将ITO靶材原料沈积至基材上。


3. 基材

  • 玻璃

  • 透明塑料:PC、PET


七、ITO镀膜特性


1. 面电阻率


镀膜厚度≒150nm以上,面电阻率可低于50Ω/sq



2. 透光率


膜厚不同,透光率变化情形



3. 透光率与膜厚



4. 镀膜成分变化


长时间溅镀,造成镀膜中氧含量降低,经导致镀膜品 质难以控制,因此有必要于制程中加入适量之氧气。



5. 面电阻率与氧气分量



6. 透光率与氧气分量



7. 检验标准



8. 应用载具

  • ITO薄膜(PET/ITO)

  • LCD荧幕(Glass/ITO)

  • 触控面板




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