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纳微半导体在上海开设全球首个专用于电动汽车 (EV) 的 GaN 芯片设计中心
氮化镓 (GaN) 功率集成电路 (IC) 的行业领导者纳微半导体 (Nasdaq: NVTS) 宣布开设新的电动汽车 (EV) 设计中心,进一步扩展到更高功率的 GaN 市场。与传统硅片解决方案相比,基于车载充电器 (OBC) 的充电速度预计提高 3 倍,最多可节省 70% 的能源。预计 GaN OBC、DC-DC 转换器和牵引逆变器可扩展 EV 续航里程或将电池成本降低 5%,据估计,到 2050 年,电动汽车升级到 GaN 将使道路部门的二氧化碳排放量减少 20%/年,这是巴黎协议的目标。


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氮化镓(GaN)器件是功率半导体技术的前沿,运行速度比传统硅芯片快20倍。纳微的GaNFast™功率IC集GaN功率、GaN驱动、保护和控制于一体,高速、高效率转化为新产业节能、高功率密度、低成本和更高可靠性方面的基准。

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新的设计中心位于中国上海,拥有一支经验丰富的世界级电力系统设计师团队,具有电气、热和机械设计、软件开发以及完整的仿真和原型设计能力的综合能力。新团队在全球范围内为电动汽车客户从概念到原型,再到全面认证和批量生产提供支持。

备受尊敬的行业专家、上海设计中心新任高级总监SUN Hao先生表示:”设计中心将为全功能、可生产的电动汽车动力系统开发原理图、布局和全功能固件。纳维将与OBC、DC-DC 和牵引系统公司合作,创建具有最高功率密度和最高效率的创新世界级解决方案,以推动 GaN 进入主流电动汽车。”

12 月,针对 EV 应用量身定制的高功率 650V GaN IC 已向 EV 客户提供样品。

纳维中国副总裁兼总经理Charles ZHA表示:”纳维电动汽车团队拥有丰富的人才和成熟的电力系统交付经验。电动汽车是一个令人兴奋的 GaN 扩张市场,估计每辆电动汽车的潜在市场为 250 美元。纳维正在迅速进入更高功率的应用,如电动汽车、数据中心和太阳能。”

制造 GaN 电源 IC 的二氧化碳排放量比硅芯片低 10 倍。考虑到使用效率以及材料尺寸和重量优势,每件 GaN 电源 IC 预计可减少 4 公斤的二氧化碳排放。总体而言,预计 GaN到 2050 年将二氧化碳排放量减少 2.6 吨/年。

文章来源:纳微官网



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