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浙大杭州科创中心首次采用新技术路线成功制备2英寸氧化镓晶圆

实现“双碳”目标,科技创新是关键引擎。使用氧化镓制作的半导体器件可以实现更耐高压、更小体积、更低损耗,在新能源汽车、轨道交通、可再生能源发电等领域降低能源消耗方面前景无限。


氧化镓产品的研制已经成为国际科技战略必争高地,目前主流技术路线生长的氧化镓晶体,成本比较高,一定程度上影响了氧化镓材料在国内的大规模产业化。



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面对传统技术的发展瓶颈,近日,浙江大学杭州国际科创中心(简称科创中心)给出了新方案。在首席科学家杨德仁院士的带领下,科创中心先进半导体研究院发明了全新的熔体法技术路线来研制氧化镓体块单晶以及晶圆,目前已经成功制备直径2英寸(50.8 mm)的氧化镓晶圆,使用这种具有完全自主知识产权技术生长的2英寸氧化镓晶圆在国际尚属首次。


一片氧化镓晶圆市场价就高达数万元,对高性能功率器件研发有着重要价值。


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研发团队的张辉教授说,使用新技术路线生长的氧化镓晶圆有两个显著优势,一是使用这种方法生长出的氧化镓晶圆的晶面具有特异性,使得制作的功率器件具有较好的性能;二是由于采用了熔体法新路线,减少了贵金属铱的使用,使得氧化镓生长过程不仅更简单可控,成本也更低,具有更大的产业化前景。


“每克铱的价格就高达上千元,可以说是比黄金更珍贵的贵金属。但主流方法生长氧化镓晶体使用的盛放熔体的坩埚,是由贵金属铱制成的,因此过去一直难以降低晶体成本。”张老师说,“我们采用的新办法减少了铱的使用,成本更低,对后面产业化来说,具有现实意义。”


经检测,科创中心采用新技术路线研制出的这批氧化镓晶圆的导电类型为半绝缘型,直径尺寸达到50.8±0.5 mm,表面粗糙度小于0.5 nm,光学透过率良好,高分辨X射线摇摆曲线测试半高宽小于100 弧秒,衍射峰均匀对称,单晶质量较好,关键技术指标已达领域内的先进水平。下一步,科创中心计划在2年内制造出直径4英寸级别的大尺寸氧化镓晶圆,进一步助力国内氧化镓材料的产业发展。


来源:浙大杭州科创中心


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