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DB HiTek计划建8英寸SiC半导体生产线
据外媒报道,DB HiTek 计划将在位于忠清北道阴城郡甘谷面的 8 英寸半导体工厂 (fab) 建设下一代功率半导体生产线。目标是在 2025 年内生产和供应第一款 1200 V碳化硅 (SiC) MOSFET。目前,该公司正在测试和生产6英寸功率半导体。


在最近的韩国半导体与显示技术学会 20 周年纪念活动上,DB HiTek 副主席 Choi Chang-sik Choi 表示:"我们将在阴城相宇工厂开始生产 SiC 8 英寸功率半导体。" 他补充说:"我们将向全球汽车制造商供应 1200V SiC 半导体产品。"

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DB HiTek 是韩国最大的 8 英寸晶圆制造商,在京畿道富川工厂和忠清北道上宇工厂生产 8 英寸硅基半导体芯片,生产国内外客户设计的功率半导体、模拟、图像传感器和显示驱动IC(DDI)。总产能为138,000张,其中富川工厂每月80,000张,阴城工厂每月58,000张。预计将利用相宇工厂的闲置空间构建下一代SiC半导体基础设施。

1200V MOSFET是一种功率半导体。应用于家电、航空、能源等各行各业。尤其是在电动汽车市场,对 SiC 半导体的需求正在迅速增加,因此备受关注。Wolfspeed、Two-Six、ON Semiconductor等全球功率半导体公司都在准备生产8英寸产品。Yes Power Technix、Power Cube Semi、KEC等国内功率半导体企业也在推进6英寸及更大产品的生产。

信息来源:etnews


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