全部 高分子 智能汽车 陶瓷 消费电子 弹性体 生物降解 5G材料 光伏 医用材料 锂电 汽车材料 新消费电子 会议列表 展会 半导体 LED 氢能源 艾邦人才网
田中贵金属工业开发出有助于提高半导体的微细化和持久性的钌成膜新工艺
田中贵金属集团旗下经营制造事业的田中贵金属工业株式会社宣布确立了液态钌(Ru)前驱物"TRuST"的 2 段成膜工艺。"TRuST"是对氧和氢都有良好的反应性,并具有能形成更高纯度钌膜的特征的前驱物。本工艺是一种 2 段 ALD 成膜工艺(ALD =Atomic Layer Deposition),先通过氢成膜形成较薄的防氧化膜,再通过氧成膜实现质量更高的钌膜成膜。通过这种方法,可消除因氧造成基板氧化的顾虑,同时还能抑制因氢成膜引起的钌纯度下降。


图片


在本开发的过程中,成膜工艺的设想方案由韩国岭南大学工科学院新材料工学部的 SOO-HYUN, KIM 教授提出,其成膜工艺的开发及评估由 KIM 教授和田中贵金属工业共同实施。由于通过本技术预计可实现半导体的进一步微细化和提高持久性,可期应用于要求执行更大容量数据处理的数据中心和智能手机,以及有助于要求更高水平技术革新的 IoT 和自动驾驶等的先进技术。
 
利用氧和氢的 2 段成膜工艺
 
田中贵金属工业正在以钌为中心开发面向下一代半导体的更高纯度的贵金属前驱物。在进行成膜时,迄今为止的主流工艺是利用氧的 1 段成膜,此次成功地确立了利用氧和氢的 2 段成膜工艺。通过这种 2 段成膜的工艺,可通过氢成膜降低底层的表面氧化风险,并通过氧成膜实现钌纯度基本保持 100%的更高纯度成膜。而且先通过氢成膜形成底层,在此基础上进行氧成膜所形成的钌膜也更平滑精密,可实现超越以往的更低电阻值。通常,随着膜厚的降低比电阻会增加,这是半导体成膜的一个课题。但是,此次确认到特别是在 10 nm 以下的区域内,通过在氧成膜的基础上,利用氢实施 2 段成膜,可进一步实现更低电阻值。今后,随着半导体尺寸进一步缩小,预计对于钌膜也有更薄更低电阻成膜的需求,利用 2 段成膜将有可能解决这个 课题。此外,本次宣布的由 2 段成膜形成的电阻更低纯度更高的钌薄膜,无论在哪个阶段都可以以相同原料、相同成膜温度来实现,所以可在相同的成膜设备内进行成膜,可降低设备投资成本。

图片

 
田中贵金属工业的液态钌前驱物"TRuST" 在半导体的薄膜及线路材料中,迄今为止主要使用铜及 钨、钴,但是面向半导体的进一步微细化,对电阻更低、持久性更高的贵金属钌的期待也在增加。因此,田中贵金属工业开发了实现世界级行业标准蒸汽压力数值的 CVD/ALD 用液态钌前驱物"TRuST",并从 2020 年开始提供样品。该前驱物与原有的前驱物相比,通过将蒸汽压力提高约 100 倍以上达到世界级行业标准数值,提高成膜室内的前驱物浓度及在基板表面的前驱物分子的吸附密度,实现了优异的台阶覆盖性和成膜速度的提高。
 

图片

田中贵金属工业 液态钌前驱物"TRuST"
 
半导体产业所处的状况和背景
 
由于 IoT/AI/5G/元宇宙等各种先进技术的发展,数据中心及以智能手机为首的电子设备中使用的数字数据量迅速增加。随之而来,在半导体开发中,为了实现性能更高且省电的器件,前所未有地要求半导体的微细化。此外,在持久性方面,因底层氧化造成的劣化在半导体开发中也是重大的课题。而且,在汽车产业中也一样,随着电动汽车和自动驾驶汽车的开发,在车载半导体等微细化的同时,希望进一步提高持久性。田中贵金属工业在今后追求进一步微细化和提高持久性的半导体产业中,在以期通过提高液态钌前驱物的成膜速度来降低成本和实现更高质量的同时,为半导体的进一步微细化和提高持久性作出贡献,并为开发半导体开辟的新型先进技术作出贡献。

来源:田中贵金属工业



相关推荐
广立微、中微半导体成功上市
广立微、中微半导体成功上市
0
0
2
宁夏盾源聚芯半导体级硅材料扩产项目开工建设
​2022年8月2日,宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司投资的“半导体级硅材料扩产项目”在银川经济技术开发区光明西路28号半导体硅部件厂区隆重举行。
0
0
3
住友化学吸收合并全资子公司SCIOCS,发力半导体材料
​住友化学宣布决定吸收合并其全资子公司SCIOCS,合并生效日为 2022 年 10 月 1 日。
0
0
6
LINTEC拟45 亿日元扩大半导体胶带产能
为应对最近半导体需求的迅速扩大、半导体制造商对增产的积极投资以及剧烈的技术创新, LINTEC Corporation宣布在吾妻工厂(群马县)投资约 45 亿日元,引进最先进的相关胶带生产设备,以提高产能并进一步提高产品质量。
0
0
12
青海丽豪半导体一期高纯晶硅项目投产
​7月30日,青海丽豪半导体材料有限公司一期高纯晶硅项目投产暨二期项目开工仪式在西宁(国家级)经济技术开发区南川工业园区举行。
0
0
6
新光电气拟投资280亿日元将半导体存储器用塑料 BGA 基板产能翻番
新光电气拟投资280亿日元将半导体存储器用塑料 BGA 基板产能翻番
0
0
6
士兰明镓启动二期项目建设,拟建设一条 6 吋 SiC 功率器件芯片生产线
士兰明镓启动二期项目建设,拟建设一条 6 吋 SiC 功率器件芯片生产线
0
0
5
浙大科创中心成功生长 50 mm厚6英寸碳化硅单晶
50 mm,是什么概念?一本字典的厚度、一个火柴盒的长度……对于日常生活而言,50 mm或许没有那么起眼,但是对于碳化硅单晶厚度来说,这个数值却不一般!
0
0
6
鸿浩半导体装备基地奠基
​7月26日上午,位于佛山南海电子信息产业园的鸿浩半导体装备基地奠基,拟建设半导体设备、半导体精密加工厂房、研发及实验室。
0
0
8
义柏晶圆与半导体精密载具设计制造项目开工
​2022年7月25日,安徽义柏精密技术有限公司“义柏晶圆与半导体精密载具设计制造项目”在南纬一路工地举行开工仪式。
0
0
8
民德电子1亿元增资芯微泰克,布局功率器件薄片/超薄芯片背道加工
民德电子1亿元增资芯微泰克,布局功率器件薄片/超薄芯片背道加工
0
0
8
索尔维宣布在美新建电子级过氧化氢工厂
​7月26日,索尔维(Solvay )宣布计划在美国亚利桑那州的卡萨格兰德投资新建一座生产电子级过氧化氢 (eH2O2) 的工厂,以供应不断增长的美国半导体制造市场。该设施将把过氧化氢转化为超高纯度等级,以清洁制造半导体(电子设备的基本组件)所需的硅晶片。
0
0
12
日本SICOXS新建8英寸SiC基板开发线
日本SICOXS新建8英寸SiC基板开发线
0
0
16
英特尔与联发科建立芯片代工战略合作
​7月25日,英特尔和联发科宣布建立战略合作伙伴关系,使用英特尔代工服务 (IFS) 的先进工艺技术制造芯片。该协议旨在通过增加一个在美国和欧洲具有重要产能的新代工合作伙伴,帮助联发科建立一个更加平衡、更有弹性的供应链。
0
0
8
韦尔集团智能制造第三代半导体芯片产业项目签约落地
​7月24日,主题为“共享绿色生态,共建低碳高质量发展体系”的第二届现代能源产业发展大会在包头市举行。广东韦尔控股集团有限公司智能智造第三代半导体芯片项目签约。
0
0
35
基本半导体与广汽埃安签订战略合作协议
2022年7月22日,深圳基本半导体有限公司与广汽埃安新能源汽车有限公司签订了《战略合作协议》和《长期采购合作协议》。
0
0
8
天岳先进获13.93 亿元 6 英寸导电型碳化硅衬底订单合同
天岳先进获13.93 亿元 6 英寸导电型碳化硅衬底订单合同
0
0
9
SkyWater计划投资18亿美元建立先进半导体制造设施
SkyWater计划投资18亿美元建立先进半导体制造设施
0
0
16
大众汽车与意法半导体合作开发汽车芯片
大众汽车与意法半导体合作开发汽车芯片
0
0
7
华正新材拟设立合资公司,投资先进封装CBF积层绝缘膜
华正新材拟设立合资公司,投资先进封装CBF积层绝缘膜
0
0
10