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总投资10亿元,芯未科技IGBT项目开工

8月8日上午,成都高投集团下属成都高新西区发展建设有限公司举行高端功率半导体器件和组件研发及产业化建设项目“四证齐发”暨开工仪式,成都高投芯未半导体有限公司负责人一次性领取了《建设用地规划许可证》《建设工程规划许可证》《建筑工程施工许可证》以及《不动产权证书》“四证”,仅用时5天,全面刷新项目拿地建设时间记录,随即启动快速建设工作,预计明年8月即可建成投产。


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据介绍,该项目总投资10亿元,占地面积约30亩,由成都高投芯未半导体有限公司(成都高新投资集团有限公司与成都森未科技有限公司合资设立的法人企业)运营实施。主要从事IGBT(绝缘栅双极型晶体管)等功率半导体芯片及产品的设计、开发、销售,是我国IGBT芯片领域的重要创新力量。


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本次开工的高投芯未高端功率半导体器件及模组研发生产项目,是高新区围绕集成电路细分领域引进的强链补链项目,通过整合成都本地优质产业链资源,有助于加快构建竞争优势突出的现代产业体系。


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项目将建设2条晶圆背面加工封装产线,建成投产后,将为森未科技在内的功率半导体设计企业提供IGBT特色授权委托加工服务,包括IGBT芯片、模组及方案组件产品等。项目分两期建设,建成后将达到年产各类功率半导体器件和功率组件共 260.5万只(套)的生产能力,实现年营收9亿元、年税收7000万元。


信息来源:成都高投


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