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日前，据多家媒体报道，日本京瓷公司新开发出一种可使microLED制造成本下降一半的技术，此技术目前引起了相关产业界的高度关注。其发布的新技术与上海芯元基半导体科技有限公司早就研发成熟的技术相比，无论是从成本，技术成熟度以及工艺复杂程度，还是化学剥离技术等几方面对比均无任何优势。

成本上，媒体报道，京瓷认为其新技术使得成本下降一半主要是由于其外延生长基板由硅基板取代了蓝宝石基板，实际上，蓝宝石基板在经过多年的发展后，主流4inch蓝宝石和硅基板其两者的价格接近，即使6inch两者的价格也逐渐接近。由于蓝宝石良好的化学稳定性，芯元基采用的化学剥离对蓝宝石衬底表面没有任何的损伤，可以使得蓝宝石衬底能多次使用，极大地降低了单次衬底使用成本。

芯元基的DPSS衬底就相当于京瓷二次生长前的硅基板，仅需一次外延，成本优势明显，京瓷的二次外延生长会带来外延表面particle增加，降低表面良率和增加外延生长时间。京瓷采用下图Model A的生长方式位错在窗口延伸，芯元基采用Model B的生长方式位错弯曲合并最后仅存在合拢面上方。

图片来源于参考文献《Fabrication and characterization of low defect density GaN using facet-controlled epitaxial lateral overgrowth (FACELO)》

化学剥离技术，从京瓷专利查询得知，京瓷通过化学腐蚀牺牲层把衬底剥离掉，而芯元基化学腐蚀DPSS基本介质层和基板界面的低质量GaN外延层，切断了材料的漏电通道，明显地提升器件的性能。同时蓝宝石基板作为剥离芯片的支撑面，极大的方便了后续剥离转移。

芯元基经过多年的研发技术积累，已经成功地开发出各种不同应用场景可量产的产品，如背光应用领域的各种miniLED芯片、商显应用领域的microLED芯片（其与竞争对手产品相比，亮度高2倍左右）、微显AR/VR应用的microLED芯片发光阵列等产品。综合来看，芯元基的现有技术路线与京瓷的新技术相比仍具有全面的领先性。

文章来源：芯元基半导体

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原文始发于微信公众号（艾邦LED）：microLED制造技术新动态——京瓷新开发的microLED制造技术与芯元基技术的对比